Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J207FE,LF

KEY Part #: K6421546

SSM6J207FE,LF Prissætning (USD) [776433stk Lager]

  • 1 pcs$0.05267
  • 4,000 pcs$0.05240

Varenummer:
SSM6J207FE,LF
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Power Driver Modules, Dioder - RF, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Dioder - Rectifiers - Single and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF elektroniske komponenter. SSM6J207FE,LF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SSM6J207FE,LF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J207FE,LF Produktegenskaber

Varenummer : SSM6J207FE,LF
Fabrikant : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Serie : U-MOSII
Del Status : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 251 mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 137pF @ 15V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 500mW (Ta)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : ES6 (1.6x1.6)
Pakke / tilfælde : SOT-563, SOT-666