ON Semiconductor - FQD3N60TF

KEY Part #: K6410771

[14021stk Lager]


    Varenummer:
    FQD3N60TF
    Fabrikant:
    ON Semiconductor
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Power Driver Modules, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF and Transistorer - IGBT'er - Single ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i ON Semiconductor FQD3N60TF elektroniske komponenter. FQD3N60TF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til FQD3N60TF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD3N60TF Produktegenskaber

    Varenummer : FQD3N60TF
    Fabrikant : ON Semiconductor
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
    Serie : QFET®
    Del Status : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 600V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Tc)
    Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 25V
    FET-funktion : -
    Power Dissipation (Max) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandør Device Package : D-Pak
    Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63