Vishay Siliconix - SQ1464EEH-T1_GE3

KEY Part #: K6421466

SQ1464EEH-T1_GE3 Prissætning (USD) [586266stk Lager]

  • 1 pcs$0.06309

Varenummer:
SQ1464EEH-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CHAN 60V SC-70.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Thyristorer - TRIACs, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Dioder - Zener - Arrays and Transistorer - IGBT'er - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SQ1464EEH-T1_GE3 elektroniske komponenter. SQ1464EEH-T1_GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SQ1464EEH-T1_GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ1464EEH-T1_GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SQ1464EEH-T1_GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CHAN 60V SC-70
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 440mA (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 1.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.41 Ohm @ 2A, 1.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 430mW (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : SC-70-6
Pakke / tilfælde : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363