STMicroelectronics - STB50NE10T4

KEY Part #: K6415793

[12287stk Lager]


    Varenummer:
    STB50NE10T4
    Fabrikant:
    STMicroelectronics
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - Særligt formål, Dioder - Rectifiers - Single, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Power Driver Modules, Thyristorer - SCR'er - Moduler and Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i STMicroelectronics STB50NE10T4 elektroniske komponenter. STB50NE10T4 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til STB50NE10T4, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STB50NE10T4 Produktegenskaber

    Varenummer : STB50NE10T4
    Fabrikant : STMicroelectronics
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
    Serie : STripFET™
    Del Status : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
    Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 166nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 6000pF @ 25V
    FET-funktion : -
    Power Dissipation (Max) : 180W (Tc)
    Driftstemperatur : -65°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandør Device Package : D2PAK
    Pakke / tilfælde : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB