ON Semiconductor - FDD86113LZ

KEY Part #: K6415759

FDD86113LZ Prissætning (USD) [159974stk Lager]

  • 1 pcs$0.23121
  • 2,500 pcs$0.22536

Varenummer:
FDD86113LZ
Fabrikant:
ON Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Zener - Single, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Thyristorer - SCR'er - Moduler ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ON Semiconductor FDD86113LZ elektroniske komponenter. FDD86113LZ kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til FDD86113LZ, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86113LZ Produktegenskaber

Varenummer : FDD86113LZ
Fabrikant : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
Serie : PowerTrench®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 285pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-PAK (TO-252)
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63