IXYS - IXFM67N10

KEY Part #: K6400904

[3236stk Lager]


    Varenummer:
    IXFM67N10
    Fabrikant:
    IXYS
    Detaljeret beskrivelse:
    POWER MOSFET TO-3.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Single, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Power Driver Modules, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i IXYS IXFM67N10 elektroniske komponenter. IXFM67N10 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IXFM67N10, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFM67N10 Produktegenskaber

    Varenummer : IXFM67N10
    Fabrikant : IXYS
    Beskrivelse : POWER MOSFET TO-3
    Serie : HiPerFET™
    Del Status : Last Time Buy
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 67A (Tc)
    Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
    FET-funktion : -
    Power Dissipation (Max) : 300W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandør Device Package : TO-204AE
    Pakke / tilfælde : TO-204AE