Infineon Technologies - IRFZ34NPBF

KEY Part #: K6419047

IRFZ34NPBF Prissætning (USD) [89066stk Lager]

  • 1 pcs$0.41810
  • 10 pcs$0.34725
  • 100 pcs$0.26783
  • 500 pcs$0.19838
  • 1,000 pcs$0.15871

Varenummer:
IRFZ34NPBF
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Power Driver Modules, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single and Thyristorer - SCR'er - Moduler ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRFZ34NPBF elektroniske komponenter. IRFZ34NPBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRFZ34NPBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFZ34NPBF Produktegenskaber

Varenummer : IRFZ34NPBF
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 55V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 68W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : TO-220AB
Pakke / tilfælde : TO-220-3

Du kan også være interesseret i