Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single
  5. EPC2029

EPC - EPC2029

KEY Part #: K6411852

EPC2029 Prissætning (USD) [23567stk Lager]

  • 1 pcs$1.93319
  • 500 pcs$1.92357
Varenummer:
EPC2029
Fabrikant:
EPC
Detaljeret beskrivelse:
GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er and Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i EPC EPC2029 elektroniske komponenter. EPC2029 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EPC2029, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2029 Produktegenskaber

Varenummer : EPC2029
Fabrikant : EPC
Beskrivelse : GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : GaNFET (Gallium Nitride)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 80V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 48A (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1410pF @ 40V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : -
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : Die
Pakke / tilfælde : Die
Du kan også være interesseret i
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

  • IRFR4615TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRFR12N25DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

Varme dele