Diodes Incorporated - DMN3026LVT-7

KEY Part #: K6411855

DMN3026LVT-7 Prissætning (USD) [757135stk Lager]

  • 1 pcs$0.04885
  • 3,000 pcs$0.04400

Varenummer:
DMN3026LVT-7
Fabrikant:
Diodes Incorporated
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - IGBT'er - Single, Dioder - Zener - Single, Thyristorer - SCR'er, Dioder - RF and Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Diodes Incorporated DMN3026LVT-7 elektroniske komponenter. DMN3026LVT-7 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til DMN3026LVT-7, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3026LVT-7 Produktegenskaber

Varenummer : DMN3026LVT-7
Fabrikant : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 6.6A (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 643pF @ 15V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 1.2W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : TSOT-26
Pakke / tilfælde : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6