ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16320E-6TLI-TR

KEY Part #: K937500

IS43R16320E-6TLI-TR Prissætning (USD) [17137stk Lager]

  • 1 pcs$2.67368

Varenummer:
IS43R16320E-6TLI-TR
Fabrikant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Data Acquisition - Digitale Potentiometre, Interface - Encoders, Decoders, Converters, PMIC - Spændingsregulatorer - Lineære Regulator Co, Dataforsamling - ADC'er / DAC'er - Særligt formål, Embedded - PLD'er (Programmerbar Logic Device), Logic - Shift Registers, Embedded - Microcontrollers - Application Specific and Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6TLI-TR elektroniske komponenter. IS43R16320E-6TLI-TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IS43R16320E-6TLI-TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R16320E-6TLI-TR Produktegenskaber

Varenummer : IS43R16320E-6TLI-TR
Fabrikant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beskrivelse : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR
Hukommelsesstørrelse : 512Mb (32M x 16)
Urfrekvens : 166MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 15ns
Adgangstid : 700ps
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 2.3V ~ 2.7V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Leverandør Device Package : 66-TSOP II

Du kan også være interesseret i
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)