TH58BYG2S3HBAI6 Prissætning (USD) [16879stk Lager]
- 1 pcs$2.25638
- 10 pcs$2.04661
- 25 pcs$2.00236
- 50 pcs$1.99126
- Varenummer:
- TH58BYG2S3HBAI6
- Fabrikant:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Detaljeret beskrivelse:
- IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Lineære - Analog Multiplikatorer, Dividere, Interface - Signalbuffere, Gentagere, Splittere, PMIC - AC DC konvertere, offline switchers, Logic - Parity Generators and Checkers, Interface - Telecom, PMIC - Batteriopladere, Interface - Analoge Switches, Multiplexere, Demult and Logik - Oversættere, Level Shifters ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 elektroniske komponenter. TH58BYG2S3HBAI6 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til TH58BYG2S3HBAI6, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
TH58BYG2S3HBAI6 Produktegenskaber
Varenummer :
TH58BYG2S3HBAI6
Fabrikant :
Toshiba Memory America, Inc.
Beskrivelse :
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Serie :
Benand™
Del Status :
Active
Hukommelsestype :
Non-Volatile
Hukommelsesformat :
FLASH
Teknologi :
FLASH - NAND (SLC)
Hukommelsesstørrelse :
4Gb (512M x 8)
Urfrekvens :
-
Skriv cyklus Tid - Ord, Side :
25ns
Adgangstid :
25ns
Memory Interface :
Parallel
Spænding - Supply :
1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
67-VFBGA
Leverandør Device Package :
67-VFBGA (6.5x8)
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Varme dele
- MT48V8M32LFF5-10 IT TR
- AT25320AN-10SI-1.8-T
- AT24C11-10PI-2.7
- AT49F002T-90TC
- AT28C64E-20SI
- AT25256-10PC-1.8
- 24LC02BT-E/OT16KVAO
- MTFC64GAPALBH-AIT ES
- MT35XU512ABA1G12-0AUT
- W631GG6KB15J
- MTFC16GAKAEDQ-AIT
- CG6740ATT
- CY7C1061GN30-10BV1XI
- IS66WV51216DBLL-55BLI-TR
- IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR
- IS61LPS25636A-200B2I-TR
- MTFC16GAPALNA-AIT ES TR
- IS49NLC36800-33B
- AS4C4M32S-6TINTR
- MTFC4GLVEA-0M WT TR
- 7140LA35P
- MTFC64GJTDN-4M IT
- W9412G6JH-5I
- MT29F32G08CBACAWP-IT:C
- CY7C1460SV25-250BZC
- IDT71V3577SA75BQ8
- IDT71V35761YSA183BQI
- 71V321L25TF
- 7134SA25P
- 71321LA35J
- 7130LA100J8
- 70V9289L12PRF
- 70V24L35J8
- 7008L25J8
- 7008L20JI8
- M95040-RMN6P
- IS61VPS102418A-250TQL-TR
- S25FL512SAGBHVC13
- S25FL128SAGBHIA13
- S29AL016J70TFM020