Vishay Siliconix - SI4925BDY-T1-GE3

KEY Part #: K6522552

SI4925BDY-T1-GE3 Prissætning (USD) [114503stk Lager]

  • 1 pcs$0.32464
  • 2,500 pcs$0.32302

Varenummer:
SI4925BDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Power Driver Modules, Thyristorer - TRIACs, Dioder - Bridge Rectifiers, Dioder - Rectifiers - Single and Transistorer - Særligt formål ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SI4925BDY-T1-GE3 elektroniske komponenter. SI4925BDY-T1-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SI4925BDY-T1-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4925BDY-T1-GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SI4925BDY-T1-GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : 2 P-Channel (Dual)
FET-funktion : Logic Level Gate
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : -
Strøm - Max : 1.1W
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandør Device Package : 8-SO