Vishay Siliconix - SI5915DC-T1-GE3

KEY Part #: K6524001

[3977stk Lager]


    Varenummer:
    SI5915DC-T1-GE3
    Fabrikant:
    Vishay Siliconix
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - RF, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Single, Thyristorer - SCR'er and Thyristorer - SCR'er - Moduler ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SI5915DC-T1-GE3 elektroniske komponenter. SI5915DC-T1-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SI5915DC-T1-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5915DC-T1-GE3 Produktegenskaber

    Varenummer : SI5915DC-T1-GE3
    Fabrikant : Vishay Siliconix
    Beskrivelse : MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
    Serie : TrenchFET®
    Del Status : Obsolete
    FET Type : 2 P-Channel (Dual)
    FET-funktion : Logic Level Gate
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 8V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 3.4A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Strøm - Max : 1.1W
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Pakke / tilfælde : 8-SMD, Flat Lead
    Leverandør Device Package : 1206-8 ChipFET™