Microsemi Corporation - APTM100VDA35T3G

KEY Part #: K6523414

[4676stk Lager]


    Varenummer:
    APTM100VDA35T3G
    Fabrikant:
    Microsemi Corporation
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Arrays, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Dioder - Zener - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTM100VDA35T3G elektroniske komponenter. APTM100VDA35T3G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTM100VDA35T3G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM100VDA35T3G Produktegenskaber

    Varenummer : APTM100VDA35T3G
    Fabrikant : Microsemi Corporation
    Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
    Serie : POWER MOS 7®
    Del Status : Obsolete
    FET Type : 2 N-Channel (Dual)
    FET-funktion : Standard
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1000V (1kV)
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 22A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V
    Strøm - Max : 390W
    Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Chassis Mount
    Pakke / tilfælde : SP3
    Leverandør Device Package : SP3