Infineon Technologies - IPD35N12S3L24ATMA1

KEY Part #: K6409634

IPD35N12S3L24ATMA1 Prissætning (USD) [160272stk Lager]

  • 1 pcs$0.23078
  • 2,500 pcs$0.18820

Varenummer:
IPD35N12S3L24ATMA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - TRIACs, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Single, Dioder - Zener - Arrays and Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IPD35N12S3L24ATMA1 elektroniske komponenter. IPD35N12S3L24ATMA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IPD35N12S3L24ATMA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD35N12S3L24ATMA1 Produktegenskaber

Varenummer : IPD35N12S3L24ATMA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 120V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 71W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PG-TO252-3
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63