ON Semiconductor - FDD6N50TM-WS

KEY Part #: K6409558

FDD6N50TM-WS Prissætning (USD) [177234stk Lager]

  • 1 pcs$0.20869

Varenummer:
FDD6N50TM-WS
Fabrikant:
ON Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Power Driver Modules, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Dioder - Bridge Rectifiers and Transistorer - Programmerbar Unijunction ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ON Semiconductor FDD6N50TM-WS elektroniske komponenter. FDD6N50TM-WS kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til FDD6N50TM-WS, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD6N50TM-WS Produktegenskaber

Varenummer : FDD6N50TM-WS
Fabrikant : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Serie : UniFET™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 500V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 9400pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 89W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-Pak
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63