Diodes Incorporated - ZVP2110GTA

KEY Part #: K6416192

ZVP2110GTA Prissætning (USD) [188931stk Lager]

  • 1 pcs$0.19675
  • 1,000 pcs$0.19577

Varenummer:
ZVP2110GTA
Fabrikant:
Diodes Incorporated
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - JFET'er, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - RF, Dioder - Zener - Arrays and Dioder - Zener - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Diodes Incorporated ZVP2110GTA elektroniske komponenter. ZVP2110GTA kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til ZVP2110GTA, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZVP2110GTA Produktegenskaber

Varenummer : ZVP2110GTA
Fabrikant : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 310mA (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 2W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : SOT-223
Pakke / tilfælde : TO-261-4, TO-261AA

Du kan også være interesseret i