ON Semiconductor - FDG311N

KEY Part #: K6416166

FDG311N Prissætning (USD) [529955stk Lager]

  • 1 pcs$0.07014
  • 3,000 pcs$0.06979

Varenummer:
FDG311N
Fabrikant:
ON Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Single, Dioder - Zener - Single, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Thyristorer - TRIACs, Dioder - Rectifiers - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ON Semiconductor FDG311N elektroniske komponenter. FDG311N kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til FDG311N, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG311N Produktegenskaber

Varenummer : FDG311N
Fabrikant : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Serie : PowerTrench®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 20V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 10V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 750mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : SC-88 (SC-70-6)
Pakke / tilfælde : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363