Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor - K4A4G085WE-BIRC

KEY Part #: K7359578

[25355stk Lager]

    Varenummer:
    K4A4G085WE-BIRC
    Fabrikant:
    Samsung Semiconductor
    Detaljeret beskrivelse:
    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: DDR4, HBM Aquabolt, SLC Nand, GDDR6, GDDR5, LPDDR4X, HBM Flarebolt and LPDDR3 ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Samsung Semiconductor K4A4G085WE-BIRC elektroniske komponenter. K4A4G085WE-BIRC kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til K4A4G085WE-BIRC, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G085WE-BIRC Produktegenskaber

    Varenummer : K4A4G085WE-BIRC
    Fabrikant : Samsung Semiconductor
    Beskrivelse : 4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA
    Serie : DDR4
    Massefylde : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Fart : 2400 Mbps
    Spænding : 1.2 V
    Midlertidig. : -40 ~ 95 °C
    Pakke : 78FBGA
    Produkt status : Mass Production

    Seneste nyt

    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    The future of NAND technology
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Speed for the next generation of mobile devices
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Du kan også være interesseret i
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

    Varme dele