Samsung Semiconductor - K4A4G085WF-BCTD

KEY Part #: K7359581

[20623stk Lager]


    Varenummer:
    K4A4G085WF-BCTD
    Fabrikant:
    Samsung Semiconductor
    Detaljeret beskrivelse:
    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: GDDR5, MODULE, SLC Nand, LPDDR3, HBM Flarebolt, HBM Aquabolt, LPDDR4X and LPDDR5 ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Samsung Semiconductor K4A4G085WF-BCTD elektroniske komponenter. K4A4G085WF-BCTD kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til K4A4G085WF-BCTD, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G085WF-BCTD Produktegenskaber

    Varenummer : K4A4G085WF-BCTD
    Fabrikant : Samsung Semiconductor
    Beskrivelse : 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Serie : DDR4
    Massefylde : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Fart : 2666 Mbps
    Spænding : 1.2 V
    Midlertidig. : 0 ~ 85 °C
    Pakke : 78FBGA
    Produkt status : Mass Production

    Du kan også være interesseret i
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.