1N4005GA0 Prissætning (USD) [3549200stk Lager]
- 1 pcs$0.01042
- Varenummer:
- 1N4005GA0
- Fabrikant:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaljeret beskrivelse:
- 1A600VSTD.GLASS PASSIVATED REC.
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Dioder - Bridge Rectifiers, Dioder - RF, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - IGBT'er - Single and Transistorer - JFET'er ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GA0 elektroniske komponenter. 1N4005GA0 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til 1N4005GA0, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
1N4005GA0 Produktegenskaber
Varenummer :
1N4005GA0
Fabrikant :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse :
1A600VSTD.GLASS PASSIVATED REC
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
600V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1V @ 1A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
5µA @ 600V
Kapacitans @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Through Hole
Pakke / tilfælde :
DO-204AL, DO-41, Axial
Leverandør Device Package :
DO-204AL (DO-41)
Driftstemperatur - Junction :
-55°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Varme dele
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08