1N4006G-T Prissætning (USD) [1383862stk Lager]
- 1 pcs$0.02673
- 5,000 pcs$0.02428
- 10,000 pcs$0.02158
- 25,000 pcs$0.02023
- 50,000 pcs$0.01794
- Varenummer:
- 1N4006G-T
- Fabrikant:
- Diodes Incorporated
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO41. Rectifiers 1.0A 800V
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT'er - Moduler and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Diodes Incorporated 1N4006G-T elektroniske komponenter. 1N4006G-T kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til 1N4006G-T, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
1N4006G-T Produktegenskaber
Varenummer :
1N4006G-T
Fabrikant :
Diodes Incorporated
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
800V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1V @ 1A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
2µs
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
5µA @ 800V
Kapacitans @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Through Hole
Pakke / tilfælde :
DO-204AL, DO-41, Axial
Leverandør Device Package :
DO-41
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
-
GI751-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM
-
GL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Varme dele
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1