Vishay Siliconix - SI7232DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525374

SI7232DN-T1-GE3 Prissætning (USD) [239890stk Lager]

  • 1 pcs$0.15419
  • 3,000 pcs$0.14509

Varenummer:
SI7232DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Thyristorer - TRIACs, Dioder - Bridge Rectifiers and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SI7232DN-T1-GE3 elektroniske komponenter. SI7232DN-T1-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SI7232DN-T1-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7232DN-T1-GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SI7232DN-T1-GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
Serie : TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funktion : Logic Level Gate
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 20V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 8V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1220pF @ 10V
Strøm - Max : 23W
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : PowerPAK® 1212-8 Dual
Leverandør Device Package : PowerPAK® 1212-8 Dual