Infineon Technologies - IRFR3303TRPBF

KEY Part #: K6402013

IRFR3303TRPBF Prissætning (USD) [188817stk Lager]

  • 1 pcs$0.19589
  • 2,000 pcs$0.16737

Varenummer:
IRFR3303TRPBF
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - JFET'er, Transistorer - IGBT'er - Single, Power Driver Modules, Transistorer - Særligt formål and Transistorer - Programmerbar Unijunction ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRFR3303TRPBF elektroniske komponenter. IRFR3303TRPBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRFR3303TRPBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3303TRPBF Produktegenskaber

Varenummer : IRFR3303TRPBF
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Serie : HEXFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 57W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-Pak
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interesseret i
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.