MR256D08BMA45 Prissætning (USD) [16879stk Lager]
- 1 pcs$2.55165
- 10 pcs$2.32910
- 25 pcs$2.28494
- 50 pcs$2.26925
- 100 pcs$2.03568
- 250 pcs$2.02784
- 500 pcs$1.90126
- 1,000 pcs$1.82036
- Varenummer:
- MR256D08BMA45
- Fabrikant:
- Everspin Technologies Inc.
- Detaljeret beskrivelse:
- IC RAM 256K PARALLEL 48FBGA. NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Interface - Encoders, Decoders, Converters, Ur / Timing - Delay Lines, Embedded - Microcontrollers, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, Data Acquisition - Touch Screen Controllers, Logik - Flip Flops, Interface - Signal Terminatorer and Hukommelse ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45 elektroniske komponenter. MR256D08BMA45 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MR256D08BMA45, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
MR256D08BMA45 Produktegenskaber
Varenummer :
MR256D08BMA45
Fabrikant :
Everspin Technologies Inc.
Beskrivelse :
IC RAM 256K PARALLEL 48FBGA
Serie :
-
Del Status :
Active
Hukommelsestype :
Non-Volatile
Hukommelsesformat :
RAM
Teknologi :
MRAM (Magnetoresistive RAM)
Hukommelsesstørrelse :
256Kb (32K x 8)
Urfrekvens :
-
Skriv cyklus Tid - Ord, Side :
45ns
Adgangstid :
45ns
Memory Interface :
Parallel
Spænding - Supply :
3V ~ 3.6V
Driftstemperatur :
0°C ~ 70°C (TA)
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
48-LFBGA
Leverandør Device Package :
48-FBGA (8x8)
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Varme dele
- CY7C024-25JXCT
- AT27LV520-70XU
- AT49BV320C-70TU
- NAND256W4A0AN6E
- AT49LV040-70TI
- AT45DB011-XC
- AT45D161-JI
- AT28C010-15SC
- VM29LV040B-120JC
- 7005S15J/2917
- 709279L15PFI
- MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
- W25Q256FVBIP
- MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
- S25FL116K0XMFIS11
- IS45S16160D-7BLA1-TR
- MT44K16M36RB-107E:A TR
- M25P32-VMW3TGB TR
- IS42S32400D-7B
- NAND01GW3B2AZA6E
- MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR
- MT42L256M32D4MG-3 IT:A
- CY7C1313TV18-167BZC
- STK14C88-3WF35
- M29W128GSL70ZS6E
- IDT71V432S7PF
- IDT71V2556S133PFI
- 7130SA35PF
- 70V9099L9PF
- IDT6116SA20TPI
- CY7C1512AV18-250BZXIT
- IS42S32200E-6BL
- M27W401-80N6
- M27C4002-15F1
- IS42S16400D-7TL
- S29XS256RABBHI000
- S29GL128P10FFI0202
- S29AL016J70TFA023
- S25FL164K0XMFA013
- MX25L8008EZUI-12G