Vishay Siliconix - SISS10DN-T1-GE3

KEY Part #: K6416195

SISS10DN-T1-GE3 Prissætning (USD) [194625stk Lager]

  • 1 pcs$0.19005
  • 3,000 pcs$0.17846

Varenummer:
SISS10DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Power Driver Modules and Transistorer - IGBT'er - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SISS10DN-T1-GE3 elektroniske komponenter. SISS10DN-T1-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SISS10DN-T1-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS10DN-T1-GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SISS10DN-T1-GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Serie : TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 40V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 3750pF @ 20V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 57W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pakke / tilfælde : 8-PowerVDFN

Du kan også være interesseret i