Renesas Electronics America - HAT2279H-EL-E

KEY Part #: K6418635

HAT2279H-EL-E Prissætning (USD) [71063stk Lager]

  • 1 pcs$0.58654
  • 2,500 pcs$0.58363

Varenummer:
HAT2279H-EL-E
Fabrikant:
Renesas Electronics America
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Dioder - RF, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Særligt formål and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Renesas Electronics America HAT2279H-EL-E elektroniske komponenter. HAT2279H-EL-E kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til HAT2279H-EL-E, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HAT2279H-EL-E Produktegenskaber

Varenummer : HAT2279H-EL-E
Fabrikant : Renesas Electronics America
Beskrivelse : MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
Serie : -
Del Status : Not For New Designs
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 80V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 3520pF @ 10V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 25W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : LFPAK
Pakke / tilfælde : SC-100, SOT-669