Infineon Technologies - IRFR1018ETRPBF

KEY Part #: K6418543

IRFR1018ETRPBF Prissætning (USD) [121753stk Lager]

  • 1 pcs$0.30379
  • 2,000 pcs$0.27043

Varenummer:
IRFR1018ETRPBF
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Arrays, Dioder - Zener - Single, Power Driver Modules, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Programmerbar Unijunction and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRFR1018ETRPBF elektroniske komponenter. IRFR1018ETRPBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRFR1018ETRPBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR1018ETRPBF Produktegenskaber

Varenummer : IRFR1018ETRPBF
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Serie : HEXFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 110W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-Pak
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63