ON Semiconductor - FDD3860

KEY Part #: K6403384

FDD3860 Prissætning (USD) [176023stk Lager]

  • 1 pcs$0.21118
  • 2,500 pcs$0.21013

Varenummer:
FDD3860
Fabrikant:
ON Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased and Thyristorer - SCR'er ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ON Semiconductor FDD3860 elektroniske komponenter. FDD3860 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til FDD3860, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD3860 Produktegenskaber

Varenummer : FDD3860
Fabrikant : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Serie : PowerTrench®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 6.2A (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1740pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-PAK (TO-252AA)
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63