TC58CVG2S0HRAIG Prissætning (USD) [16879stk Lager]
- 1 pcs$2.71471
- Varenummer:
- TC58CVG2S0HRAIG
- Fabrikant:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Detaljeret beskrivelse:
- IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm Serial NAND
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: PMIC - Batteriopladere, PMIC - Power Over Ethernet (PoE) Controllers, Interface - Analoge Switches, Multiplexere, Demult, PMIC - Spændingsregulatorer - DC DC Switching Cont, PMIC - Spændingsregulatorer - Lineær + Skift, Interface - UARTs (Universal Asynchronous Receiver, PMIC - AC DC konvertere, offline switchers and PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG2S0HRAIG elektroniske komponenter. TC58CVG2S0HRAIG kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til TC58CVG2S0HRAIG, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
TC58CVG2S0HRAIG Produktegenskaber
Varenummer :
TC58CVG2S0HRAIG
Fabrikant :
Toshiba Memory America, Inc.
Beskrivelse :
IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON
Serie :
-
Del Status :
Active
Hukommelsestype :
Non-Volatile
Hukommelsesformat :
FLASH
Teknologi :
FLASH - NAND (SLC)
Hukommelsesstørrelse :
4Gb (512M x 8)
Urfrekvens :
104MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side :
-
Adgangstid :
280µs
Memory Interface :
SPI - Quad I/O
Spænding - Supply :
2.7V ~ 3.6V
Driftstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
8-WDFN Exposed Pad
Leverandør Device Package :
8-WSON (6x8)
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Varme dele
- CY7C028V-15AXIT
- AT49LH004-33TC-T
- MT28F640J3BS-115 ET TR
- MT28F004B5VG-8 BET
- AT25F4096W-10SU-2.7
- MT29F4G08BBBWP TR
- AT27C010-12JI
- AT25320T1-10TI
- MT40A4G4HPR-075H:G TR
- S70WS512N00BFWAB3
- MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR
- MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D
- MT29F128G08AECBBH6-6IT:B
- S25FL032P0XMFI013M
- S99-50204A
- IS42SM16160D-7BLI
- EDFP112A3PD-GD-F-D
- S70FS01GSDSBHM210
- IS61DDB41M36A-300M3LI
- 7028L15PFI
- AS4C128M16D3L-12BANTR
- S25FL132K0XBHI033
- MT29F64G08AFAAAWP-IT:A
- IDT71016S12YI8
- JS28F256P30BFF TR
- MT46H128M16LFB7-5 IT:B
- AT49BV160DT-70CU
- MT29F2G01AAAEDH4:E TR
- AT25DF321-SU
- 93C86AT-I/ST
- R1LV0408DSB-5SI#B0
- M29W128GL70ZS6E
- M28W640HSB70ZA6E
- IDT71V65803S133PF8
- IDT71V25761SA200BG8
- 7134SA55J8
- 70V06L20PFI
- MT46V16M16P-75:F TR
- CYDD09S36V18-167BBXC
- S25FS512SDSBHA213