Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. JANTX1N649

Microsemi Corporation - JANTX1N649

KEY Part #: K6445322

[2147stk Lager]

    Varenummer:
    JANTX1N649
    Fabrikant:
    Microsemi Corporation
    Detaljeret beskrivelse:
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - IGBT'er - Single, Power Driver Modules, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JANTX1N649 elektroniske komponenter. JANTX1N649 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JANTX1N649, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTX1N649 Produktegenskaber

    Varenummer : JANTX1N649
    Fabrikant : Microsemi Corporation
    Beskrivelse : DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
    Serie : Military, MIL-PRF-19500/240
    Del Status : Active
    Diodetype : Standard
    Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 600V
    Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 400mA
    Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1V @ 400mA
    Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 50nA @ 600V
    Kapacitans @ Vr, F : -
    Monteringstype : Through Hole
    Pakke / tilfælde : DO-204AH, DO-35, Axial
    Leverandør Device Package : DO-35
    Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

    Seneste nyt

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Du kan også være interesseret i
    • SS26SHE3/61T

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC.

    • BYG22A-E3/TR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt

    • BYS10-45-E3/TR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.5 Amp 45 Volt

    • RS1A-E3/61T

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 50V 150ns

    • US1KHE3_A/H

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM

    • RS1GHE3_A/H

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns 36 Amp IFSM

    Varme dele