Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP10JE-E3/54

KEY Part #: K6458252

RGP10JE-E3/54 Prissætning (USD) [1010386stk Lager]

  • 1 pcs$0.03661
  • 11,000 pcs$0.03347

Varenummer:
RGP10JE-E3/54
Fabrikant:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0A 600 Volt 250ns
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Power Driver Modules and Thyristorer - SCR'er ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10JE-E3/54 elektroniske komponenter. RGP10JE-E3/54 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til RGP10JE-E3/54, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP10JE-E3/54 Produktegenskaber

Varenummer : RGP10JE-E3/54
Fabrikant : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Serie : SUPERECTIFIER®
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 600V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.3V @ 1A
Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 250ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 5µA @ 600V
Kapacitans @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype : Through Hole
Pakke / tilfælde : DO-204AL, DO-41, Axial
Leverandør Device Package : DO-204AL (DO-41)
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Du kan også være interesseret i
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • U1C-E3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM