Microsemi Corporation - APTM120DA29TG

KEY Part #: K6408129

[734stk Lager]


    Varenummer:
    APTM120DA29TG
    Fabrikant:
    Microsemi Corporation
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET N-CH 1200V 34A SP4.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - JFET'er, Dioder - Zener - Single, Power Driver Modules, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Dioder - Bridge Rectifiers ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTM120DA29TG elektroniske komponenter. APTM120DA29TG kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTM120DA29TG, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120DA29TG Produktegenskaber

    Varenummer : APTM120DA29TG
    Fabrikant : Microsemi Corporation
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
    Serie : -
    Del Status : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1200V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)
    Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 374nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V
    FET-funktion : -
    Power Dissipation (Max) : 780W (Tc)
    Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Chassis Mount
    Leverandør Device Package : SP4
    Pakke / tilfælde : SP4