Infineon Technologies - IRFR1018EPBF

KEY Part #: K6408050

IRFR1018EPBF Prissætning (USD) [762stk Lager]

  • 1 pcs$0.74840
  • 10 pcs$0.66478
  • 100 pcs$0.52530
  • 500 pcs$0.40738
  • 1,000 pcs$0.30423

Varenummer:
IRFR1018EPBF
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Power Driver Modules, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - JFET'er, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Rectifiers - Single and Transistorer - IGBT'er - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRFR1018EPBF elektroniske komponenter. IRFR1018EPBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRFR1018EPBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR1018EPBF Produktegenskaber

Varenummer : IRFR1018EPBF
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Serie : HEXFET®
Del Status : Discontinued at Digi-Key
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 110W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-Pak
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63