BYW80-200G Prissætning (USD) [119899stk Lager]
- 1 pcs$0.38047
- 10 pcs$0.31521
- 100 pcs$0.24165
- 500 pcs$0.19103
- 1,000 pcs$0.15282
- Varenummer:
- BYW80-200G
- Fabrikant:
- ON Semiconductor
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2. Rectifiers 200V 8A UltraFast
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Programmerbar Unijunction, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Power Driver Modules, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - IGBT'er - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i ON Semiconductor BYW80-200G elektroniske komponenter. BYW80-200G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til BYW80-200G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
BYW80-200G Produktegenskaber
Varenummer :
BYW80-200G
Fabrikant :
ON Semiconductor
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
Serie :
SWITCHMODE™
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
8A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.25V @ 22A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
10µA @ 200V
Kapacitans @ Vr, F :
-
Monteringstype :
Through Hole
Pakke / tilfælde :
TO-220-2
Leverandør Device Package :
TO-220-2
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
C3D02065E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
-
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
P600D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 200 Volt 400 Amp IFSM
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Varme dele
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18