Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP50B-E3/54

KEY Part #: K6447608

[1366stk Lager]


    Varenummer:
    EGP50B-E3/54
    Fabrikant:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaljeret beskrivelse:
    DIODE GEN PURP 100V 5A GP20.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Power Driver Modules, Dioder - Zener - Single, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - IGBT'er - Moduler and Dioder - Rectifiers - Single ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division EGP50B-E3/54 elektroniske komponenter. EGP50B-E3/54 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EGP50B-E3/54, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP50B-E3/54 Produktegenskaber

    Varenummer : EGP50B-E3/54
    Fabrikant : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beskrivelse : DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
    Serie : SUPERECTIFIER®
    Del Status : Obsolete
    Diodetype : Standard
    Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 100V
    Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 5A
    Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 950mV @ 5A
    Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
    Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 5µA @ 100V
    Kapacitans @ Vr, F : 95pF @ 4V, 1MHz
    Monteringstype : Through Hole
    Pakke / tilfælde : DO-201AA, DO-27, Axial
    Leverandør Device Package : GP20
    Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 150°C

    Du kan også være interesseret i
    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

    • EGL34GHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • EGL34DHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • EGL34FHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.