Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34GHE3/83

KEY Part #: K6447646

[1353stk Lager]


    Varenummer:
    EGL34GHE3/83
    Fabrikant:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaljeret beskrivelse:
    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Rectifiers - Single, Thyristorer - TRIACs, Dioder - RF, Transistorer - IGBT'er - Single and Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34GHE3/83 elektroniske komponenter. EGL34GHE3/83 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EGL34GHE3/83, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGL34GHE3/83 Produktegenskaber

    Varenummer : EGL34GHE3/83
    Fabrikant : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beskrivelse : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
    Serie : SUPERECTIFIER®
    Del Status : Discontinued at Digi-Key
    Diodetype : Standard
    Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 400V
    Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 500mA
    Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.35V @ 500mA
    Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
    Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 5µA @ 400V
    Kapacitans @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
    Monteringstype : Surface Mount
    Pakke / tilfælde : DO-213AA (Glass)
    Leverandør Device Package : DO-213AA (GL34)
    Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

    Du kan også være interesseret i
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.