Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. JAN1N5619

Microsemi Corporation - JAN1N5619

KEY Part #: K6427659

JAN1N5619 Prissætning (USD) [15317stk Lager]

  • 1 pcs$3.63577
  • 10 pcs$3.27220
  • 25 pcs$2.98142
  • 100 pcs$2.69047
  • 250 pcs$2.47233
  • 500 pcs$2.25418
  • 1,000 pcs$1.96332
Varenummer:
JAN1N5619
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL. Zener Diodes D MET 1A FAST 600V
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JAN1N5619 elektroniske komponenter. JAN1N5619 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JAN1N5619, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5619 Produktegenskaber

Varenummer : JAN1N5619
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/429
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 600V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.6V @ 3A
Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 250ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 500nA @ 800V
Kapacitans @ Vr, F : -
Monteringstype : Through Hole
Pakke / tilfælde : A, Axial
Leverandør Device Package : -
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Seneste nyt

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Du kan også være interesseret i
  • GP2D008A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.

  • V35PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V35PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PWM60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

Varme dele