Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays
  5. EPC2102ENGRT

EPC - EPC2102ENGRT

KEY Part #: K6523251

EPC2102ENGRT Prissætning (USD) [19716stk Lager]

  • 1 pcs$2.31076
  • 500 pcs$2.29926
Varenummer:
EPC2102ENGRT
Fabrikant:
EPC
Detaljeret beskrivelse:
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Thyristorer - TRIACs, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i EPC EPC2102ENGRT elektroniske komponenter. EPC2102ENGRT kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EPC2102ENGRT, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2102ENGRT Produktegenskaber

Varenummer : EPC2102ENGRT
Fabrikant : EPC
Beskrivelse : GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
Serie : eGaN®
Del Status : Active
FET Type : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 5V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 30V
Strøm - Max : -
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : Die
Leverandør Device Package : Die
Du kan også være interesseret i
  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.

  • SI4904DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC.

Varme dele