Microsemi Corporation - JANTXV1N6631US

KEY Part #: K6446826

JANTXV1N6631US Prissætning (USD) [3183stk Lager]

  • 1 pcs$13.67618
  • 100 pcs$13.60814

Varenummer:
JANTXV1N6631US
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - TRIACs, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single and Thyristorer - SCR'er - Moduler ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JANTXV1N6631US elektroniske komponenter. JANTXV1N6631US kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JANTXV1N6631US, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6631US Produktegenskaber

Varenummer : JANTXV1N6631US
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/590
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 1100V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 1.4A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.6V @ 1.4A
Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 60ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 4µA @ 1100V
Kapacitans @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : E-MELF
Leverandør Device Package : D-5B
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 150°C

Du kan også være interesseret i
  • SRP600J-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

  • GPP60G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • BYM07-400HE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • BYM07-200HE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • SBLB1030HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.