Infineon Technologies - SPB07N60C3ATMA1

KEY Part #: K6418808

SPB07N60C3ATMA1 Prissætning (USD) [78219stk Lager]

  • 1 pcs$0.49988

Varenummer:
SPB07N60C3ATMA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Dioder - Rectifiers - Arrays, Thyristorer - SCR'er - Moduler and Transistorer - IGBT'er - Moduler ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies SPB07N60C3ATMA1 elektroniske komponenter. SPB07N60C3ATMA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SPB07N60C3ATMA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPB07N60C3ATMA1 Produktegenskaber

Varenummer : SPB07N60C3ATMA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
Serie : CoolMOS™
Del Status : Not For New Designs
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 650V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 7.3A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 83W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PG-TO263-3-2
Pakke / tilfælde : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB