Varenummer :
VS-GB200TH120N
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Konfiguration :
Half Bridge
Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) :
1200V
Nuværende - Samler (Ic) (Max) :
360A
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 200A
Nuværende - Collector Cutoff (Max) :
5mA
Inputkapacitans (Cies) @ Vce :
14.9nF @ 25V
Driftstemperatur :
150°C (TJ)
Monteringstype :
Chassis Mount
Pakke / tilfælde :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Leverandør Device Package :
Double INT-A-PAK