Infineon Technologies - FF200R12KT3HOSA1

KEY Part #: K6534494

FF200R12KT3HOSA1 Prissætning (USD) [883stk Lager]

  • 1 pcs$52.58487

Varenummer:
FF200R12KT3HOSA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT'er - Moduler, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Thyristorer - TRIACs and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies FF200R12KT3HOSA1 elektroniske komponenter. FF200R12KT3HOSA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til FF200R12KT3HOSA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R12KT3HOSA1 Produktegenskaber

Varenummer : FF200R12KT3HOSA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serie : -
Del Status : Active
IGBT Type : Trench Field Stop
Konfiguration : 2 Independent
Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) : 1200V
Nuværende - Samler (Ic) (Max) : -
Strøm - Max : 1050W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Nuværende - Collector Cutoff (Max) : 5mA
Inputkapacitans (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Input : Standard
NTC-termistor : No
Driftstemperatur : -40°C ~ 125°C
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / tilfælde : Module
Leverandør Device Package : Module

Du kan også være interesseret i
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.