Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single
  5. APTM120DA30CT1G

Microsemi Corporation - APTM120DA30CT1G

KEY Part #: K6403799

APTM120DA30CT1G Prissætning (USD) [2233stk Lager]

  • 100 pcs$25.45625
Varenummer:
APTM120DA30CT1G
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - IGBT'er - Single, Power Driver Modules, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G elektroniske komponenter. APTM120DA30CT1G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTM120DA30CT1G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120DA30CT1G Produktegenskaber

Varenummer : APTM120DA30CT1G
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Serie : POWER MOS 8™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1200V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 14560pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 657W (Tc)
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandør Device Package : SP1
Pakke / tilfælde : SP1

Seneste nyt

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Du kan også være interesseret i
  • AUIRFZ24NS

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK.

  • AUIRFR8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8403

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8401

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • SSM3K7002BF,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

  • SSM3J14TTE85LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.

Varme dele