STMicroelectronics - STD13N60M2

KEY Part #: K6415705

STD13N60M2 Prissætning (USD) [73465stk Lager]

  • 1 pcs$0.53224
  • 2,500 pcs$0.47187

Varenummer:
STD13N60M2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i STMicroelectronics STD13N60M2 elektroniske komponenter. STD13N60M2 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til STD13N60M2, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD13N60M2 Produktegenskaber

Varenummer : STD13N60M2
Fabrikant : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Serie : MDmesh™ II Plus
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 600V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 580pF @ 100V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 110W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : DPAK
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63