Vishay Siliconix - SI7322DN-T1-GE3

KEY Part #: K6418546

SI7322DN-T1-GE3 Prissætning (USD) [133988stk Lager]

  • 1 pcs$0.27605
  • 3,000 pcs$0.23327

Varenummer:
SI7322DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - JFET'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Thyristorer - SCR'er and Dioder - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SI7322DN-T1-GE3 elektroniske komponenter. SI7322DN-T1-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SI7322DN-T1-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7322DN-T1-GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SI7322DN-T1-GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PowerPAK® 1212-8
Pakke / tilfælde : PowerPAK® 1212-8