Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays
  5. EPC2101ENGRT

EPC - EPC2101ENGRT

KEY Part #: K6523299

EPC2101ENGRT Prissætning (USD) [19588stk Lager]

  • 1 pcs$2.32586
  • 500 pcs$2.31429
Varenummer:
EPC2101ENGRT
Fabrikant:
EPC
Detaljeret beskrivelse:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - JFET'er, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - IGBT'er - Single and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i EPC EPC2101ENGRT elektroniske komponenter. EPC2101ENGRT kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EPC2101ENGRT, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2101ENGRT Produktegenskaber

Varenummer : EPC2101ENGRT
Fabrikant : EPC
Beskrivelse : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Serie : eGaN®
Del Status : Active
FET Type : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 5V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 30V
Strøm - Max : -
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : Die
Leverandør Device Package : Die
Du kan også være interesseret i
  • SI1539DDL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • AO8804L

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.

Varme dele