BAL99-HE3-18 Prissætning (USD) [3181000stk Lager]
- 1 pcs$0.01227
- 10,000 pcs$0.01221
- Varenummer:
- BAL99-HE3-18
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 450mA 6ns 250 mA IFSM
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - Særligt formål, Dioder - Zener - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Dioder - Bridge Rectifiers ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division BAL99-HE3-18 elektroniske komponenter. BAL99-HE3-18 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til BAL99-HE3-18, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
BAL99-HE3-18 Produktegenskaber
Varenummer :
BAL99-HE3-18
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
70V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
250mA
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.25V @ 150mA
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
6ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
2.5µA @ 70V
Kapacitans @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverandør Device Package :
SOT-23
Driftstemperatur - Junction :
-55°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Varme dele
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR