Infineon Technologies - IPI80N06S208AKSA2

KEY Part #: K6418600

IPI80N06S208AKSA2 Prissætning (USD) [69611stk Lager]

  • 1 pcs$0.56170
  • 500 pcs$0.53490

Varenummer:
IPI80N06S208AKSA2
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Særligt formål and Transistorer - Programmerbar Unijunction ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IPI80N06S208AKSA2 elektroniske komponenter. IPI80N06S208AKSA2 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IPI80N06S208AKSA2, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI80N06S208AKSA2 Produktegenskaber

Varenummer : IPI80N06S208AKSA2
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Serie : OptiMOS™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 55V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 2860pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 215W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : PG-TO262-3-1
Pakke / tilfælde : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA