Vishay Siliconix - SI5475DDC-T1-GE3

KEY Part #: K6407835

SI5475DDC-T1-GE3 Prissætning (USD) [836stk Lager]

  • 3,000 pcs$0.10598

Varenummer:
SI5475DDC-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased and Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SI5475DDC-T1-GE3 elektroniske komponenter. SI5475DDC-T1-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SI5475DDC-T1-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5475DDC-T1-GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SI5475DDC-T1-GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Del Status : Obsolete
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 12V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 6V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : 1206-8 ChipFET™
Pakke / tilfælde : 8-SMD, Flat Lead

Du kan også være interesseret i